中走絲線切割，最后，顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案。顯影后，掩模上的圖案保留在光刻膠上。糊化、烘烤和顯影都是在均質(zhì)顯影劑中完成的，曝光是在平版印刷機中完成的。均化顯影機和光刻機一般都是在線操作，晶片通過機械手在各單元和機器之間傳送。

中走絲線切割，整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶片不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。添加雜質(zhì)相應的 p 和 n 半導體是通過向晶圓中注入離子而形成的。具體工藝是從硅片上的裸露區(qū)域開始，將其放入化學離子混合物中。

中走絲線切割，這個過程將改變摻雜區(qū)的傳導模式，使每個晶體管都能打開、關閉或攜帶數(shù)據(jù)。一個簡單的芯片只能使用一層，但一個復雜的芯片通常有許多層。此時，該過程連續(xù)重復，通過打開窗口可以連接不同的層。

中走絲線切割，這與多層 pcb 的制造原理類似。更復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層。此時，它是通過重復光刻和上述工藝來實現(xiàn)的，形成一個三維結(jié)構(gòu)。